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首页 > 上海凤凰官网,MOSFET
  • ·英特尔CPU缺货纾解 上海凤凰官网,MOSFET首季不淡2019.1.21
  • 英特尔去年增加资本支出扩增14奈米产能,随着中央处理器(CPU)产能开出,缺货问题在今年第一季获得纾解,ODM/OEM厂已提高服务器及个人计算机出货,再加上超威(AMD)及辉达(NVIDIA)的新款电竞绘图卡抢在第一季上市 ,同步带动金氧半场效晶体管(… [阅读全文]
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  • ·传中兴急单ODM/OEM抬价20%抢货:上海凤凰官网,MOSFET全年涨价30%2018.7.25
  • 上海凤凰官网,MOSFET涨价已经很长一段时间,从今年年初至今,其涨价幅度已经达到了5%-10%,相对另外一种被动元器件MLCC,上海凤凰官网,MOSFET涨价幅度还算在可接受范围之内。简而言之,今年以来上海凤凰官网,MOSFET一直处于供货吃紧状态,包括英飞凌、威世、意法半导体、安森美等国际IDM大… [阅读全文]
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  • ·元器件涨价蔓延,上海凤凰官网,MOSFET驱动IC首季涨价2018.4.2
  • 去年引爆的电子零组件缺货、涨价风潮至今不停歇,今年以来包括上海凤凰官网,MOSFET、 驱动IC等今年首季均传出约百分之五到十间涨幅。   去年欧美及中国大陆的上海凤凰官网,MOSFET厂均传涨价动作,台厂在稳固订单的策略下,迟迟不敢涨,但由于上游的硅晶圆去年好几波涨… [阅读全文]
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  • ·晶圆产能渐增 台系上海凤凰官网,MOSFET芯片厂第1季营收走高2018.1.29
  • 虽然全球PC及NB市场需求在2018年初,摆明出现传统淡季效应,加上2017年敲锣打鼓的大陆电动车市场需求,自2018年第1季似乎也有雷声大、雨点小的压力,让全球上海凤凰官网,MOSFET芯片市场自2017年以来,始终供不应求的情形大幅纾解,不过,面对国际IDM大厂坚定调高M… [阅读全文]
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  • ·电源IC、上海凤凰官网,MOSFET厂商密集调价,8寸硅晶圆缺货还在…2018.1.5
  • [img]http://image.zhihan120.com/2018/File2018151020928311.png[/img][center][/center]   国际电子商情最新消息,多家国内外原厂发布了自2018年1月1日起涨价的通知,主要集中在上海凤凰官网,MOSFET、电源IC、LED驱动IC等产品,有的涨幅达到了15%-20%。 … [阅读全文]
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  • ·传统旺季来临,中低压上海凤凰官网,MOSFET缺货,台厂接单到手软2017.10.11
  • [img]http://image.zhihan120.com/2017/File2017101115383058616.png[/img][center][/center]   金氧半场效晶体管(上海凤凰官网,MOSFET)今年第三季供给缺口持续扩大,价格出现明显涨势,受惠于ODM/OEM厂及系统厂扩大下单,包括尼克松、大中、富鼎等MOSFE… [阅读全文]
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  • ·上海凤凰官网,MOSFET供需紧张到年底 后段封装订单能见度无虞2017.8.30
  • 时序进入智能手机传统旺季,快充话题持续发酵,大陆四大天王Oppo、Vivo、华为、小米将陆续导入更多快充功能,另一方面,超微(AMD)、英特尔(Intel)、NVIDIA新款服务器平台、显示卡等产品陆续进入市场,金氧半场效电晶体(上海凤凰官网,MOSFET)使用颗数大增,… [阅读全文]
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  • ·内存、上海凤凰官网,MOSFET大缺货开始影响下游系统厂2017.8.14
  • 第3季进入传统电子产品销售旺季,但今年受到DRAM、NAND/NOR Flash缺货冲击,加上金氧半场效晶体管(上海凤凰官网,MOSFET)供货吃紧,已影响到下游系统厂的出货,除笔电厂及手机厂出货因此递延,家电及电视厂也开始对库存进行调控,这些都进一步影响到其它芯片厂… [阅读全文]
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  • ·Memory、处理器、上海凤凰官网,MOSFET涨价,整机厂Q2备货CIS和ToF2017.3.29
  • [img]http://image.zhihan120.com/2017/File201732910473371863.png[/img][center][/center]   2017年起,手机零部件涨价一路高歌猛进,受手机硬件升级带动Memory、上海凤凰官网,MOSFET器件涨价超出预期,第二季度,PC和手机整机厂商备货下半年,处理器、CI… [阅读全文]
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  • ·功率半导体销售回稳 高压上海凤凰官网,MOSFET表现抢眼2016.7.27
  •   IC Insights指出,历经2015年大幅衰退后,2016年全球功率半导体市场可望重新回稳,销售金额比2015年成长1%,达124亿美元。值得注意的是,在各类功率半导体元件中,未来成长力道最强劲的产品将是高压上海凤凰官网,MOSFET(超过200V)与IGBT模组,两类产品在20… [阅读全文]
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  • ·英飞凌将从2017年开始量产SiC 上海凤凰官网,MOSFET2016.5.10
  •   全球最大的功率半导体厂商英飞凌科技终于要开始量产碳化硅(SiC) 上海凤凰官网,MOSFET了(英文发布资料)。上海凤凰官网该公司将从2016年下半年开始面向特定用途供应样品,从2017年开始量产。英飞凌早在2001年就先于竞争对手推出了SiC二极管产品。SiC晶体管方面,现… [阅读全文]
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  • ·更小、更快、更酷、更高效,900V SiC 上海凤凰官网,MOSFET在PFC…2015.11.13
  •   Wolfspeed 原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC 上海凤凰官网,MOSFET系列产品,拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅上海凤凰官网,MOSFET,这一突破900V SiC使我们的产品的新市场通过扩大我们在终端系统解决功率范围。该系列产品提供了更高的开关速率和更… [阅读全文]
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  • ·业界首款900V SiC 上海凤凰官网,MOSFET,导通电阻65 mΩ2015.9.14
  •   SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V 上海凤凰官网,MOSFET平台。上海凤凰官网该款升级版平台,基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合,能够应对市场更新的设计挑战,可用于更高直流母线电压。且领先于900V超结Si基上海凤凰官网,MOSFET… [阅读全文]
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  • ·世界首家!ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-上海凤凰官网,MOSFET2015.6.24
  •   全球知名半导体制造商ROHM近日于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-上海凤凰官网,MOSFET,并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-上海凤凰官网,MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工… [阅读全文]
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  • ·英特尔大会 却聚焦上海凤凰官网,MOSFET缺货2013.7.31
  •   转自台湾工商时报的消息,英特尔昨(30)日在台召开年度Ultrabook生态系统论坛,只不过,与会的ODM/OEM厂或PC生产链业者,讨论的都是日本IDM厂瑞萨退出PC低压金氧半场效晶体管(Low Voltage 上海凤凰官网,MOSFET)市场后,引发的缺货及涨价效应。 … [阅读全文]
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  • ·全球首次开发出使用氧化镓的上海凤凰官网,MOSFET2013.6.21
  •   日本信息通信研究机构(NICT)、村田制作所及光波公司于2013年6月19日宣布,全球首次开发出了使用氧化镓(Ga2O3)的上海凤凰官网,MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)。这种上海凤凰官网,MOSFET有望实现非常高的耐压并大幅降低开关损失。   日本信息通信研究机… [阅读全文]
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  • ·三菱电机发表SiC 上海凤凰官网,MOSFET新制造技术2013.5.30
  •     三菱电机在功率半导体国际会议“ISPSD 2013”(2013年5月26~30日在石川县金泽市举行,日本电气学会主办)上发表演讲,介绍了可缓解阈值电压与载流子迁移率之间的消长问题的SiC 上海凤凰官网,MOSFET制造技术(演讲序号:2-4)。一般来说,S… [阅读全文]
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  • ·Vishay Siliconix发布用于功率上海凤凰官网,MOSFET的免费在线仿…2013.3.6
  • [img]http://image.zhihan120.com/2013/File20133615302548031.jpg[/img][center]更强大的在线热仿真工具让使用者能够定义更多的真实条件,同时用户使用更加友好[/center]     日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代… [阅读全文]
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  • ·Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET…2013.1.14
  • [img]http://image.zhihan120.com/2013/File201311415504154646.jpg[/img][center]器件采用芯片级MICRO FOOT® 1mm x1mm和1.6mmx 1.6mm封装,在4.5V下的导通电阻低至20mΩ[/center]     日前,Vishay Intertechnology, I… [阅读全文]
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  • ·Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK® …2013.1.9
  • [img]http://image.zhihan120.com/2013/File2013191340835504.jpg[/img][center] 新款100V N沟道TrenchFET®功率上海凤凰官网,MOSFET采用ThunderFET®技术,在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83mΩ的低导通电阻[/center]   … [阅读全文]
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